[发明专利]汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法在审
申请号: | 201610916026.X | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN107313025A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 李中杰;杨棋铭;吴林荣 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明的实施例涉及汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法。在一些实施例中,气体前体产生系统包括前体安瓿,前体安瓿包括与载气源耦接的入口和与汽相沉积室耦接的出口。液体前体布置在前体安瓿内,其包括具有一种或多种离子液体并且配置为溶解固体前体的化学物质的溶剂。通过液体前体的蒸发在前体安瓿的上部区域处产生气体前体并通过前体安瓿的出口由载气携带至汽相沉积室。固体前体的化学物质传输入汽相沉积室中并且沉积在衬底的表面上。 | ||
搜索关键词: | 沉积 工艺 气体 产生 系统 固体 传输 方法 | ||
【主权项】:
一种用于汽相沉积工艺的气体前体产生系统,包括:前体安瓿,包括与载气源耦接的入口和与汽相沉积室耦接的出口;液体前体,布置在所述前体安瓿内,包括具有一种或多种离子液体并且配置为溶解固体前体的化学物质的溶剂;以及气体前体,通过所述液体前体的蒸发提供在所述前体安瓿的上部区域处并且通过所述前体安瓿的出口由载气携带入所述汽相沉积室,其中,所述固体前体的所述化学物质传送到所述汽相沉积室内并且沉积在衬底的表面上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的