[发明专利]等离子切割的设备和方法有效
| 申请号： | 201610916255.1 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106952797B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 戈塔姆·拉格纳萨;戴维·A·托塞尔;奥立佛·安塞尔 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/683;H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明，提供了一种用于等离子切割半导体衬底的设备和方法，所述半导体衬底为形成工件的一部分的类型，所述工件进一步包括在框架构件上的载体片，其中，所述载体片承载半导体衬底。所述设备包括：腔室；等离子产生装置，所述等离子产生装置被配置成在所述腔室内产生适于切割所述半导体衬底的等离子；工件支撑件，所述工件支撑件位于所述腔室中，用于通过与所述载体片接触来支撑所述工件；框架盖元件，所述框架盖元件被配置成在使用时接触所述框架构件，从而夹紧所述载体片以抵靠设置在所述腔室中的辅助元件。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 切割 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子切割半导体衬底的设备，所述半导体衬底为形成工件的一部分的类型，所述工件进一步包括在框架构件上的载体片，其中，所述载体片承载所述半导体衬底，所述设备包括：腔室；等离子产生装置，所述等离子产生装置被配置成在所述腔室内产生适于切割所述半导体衬底的等离子；工件支撑件，所述工件支撑件位于所述腔室中，用于通过与所述载体片接触来支撑所述工件；框架盖元件，所述框架盖元件被配置成在使用时接触所述框架构件，从而夹紧所述载体片以抵靠设置在所述腔室中的辅助元件。
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