[发明专利]单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器

摘要

本发明公开一种单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器，包含有一源极、一漏极、一介电层以及一电极层。源极以及漏极位于一基底中，其中源极以及漏极具有一第一导电型。介电层设置于基底上且位于源极以及漏极之间，其中介电层包含第一介电层，第一介电层具有分隔的二穿隧介电部分，且二穿隧介电部分的厚度薄于第一介电层的其他部分的厚度。电极层设置于介电层上，其中电极层包含一第一电极设置于第一介电层上，因而第一电极为一浮置栅极。

主权项

一种单层多晶硅电子抹除式可复写只读存储器，包含有：源极(152)以及漏极(154)，位于一基底中，其中该源极以及该漏极具有第一导电型；介电层，设置于该基底上且位于该源极以及该漏极之间，其中该介电层包含第一介电层(122)，该第一介电层具有分隔的二穿隧介电部分(122a/122b)，且该二穿隧介电部分的厚度薄于该第一介电层的一内存通道(122C1)的厚度；以及电极层，设置于该介电层上，其中该电极层包含第一电极(132)，设置于该第一介电层上，因而该第一电极为一浮置栅极。