[发明专利]封装半导体器件的衬底互连结构有效
| 申请号： | 201610919948.6 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978576B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 饶开运;冯志成;贺碧华;N·K·O·卡兰达;陈兰珠;臧园 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于半导体器件的“通用”衬底，由非导电衬底材料形成。在衬底材料中形成均匀的导电柱阵列。柱从衬底的上表面延伸到衬底的下表面。管芯安装盘可以形成在衬底材料的上表面上。在管芯安装盘下面的柱通过导线连接到管芯安装盘的周边之外的柱。电源和接地环可以通过连接包围管芯安装盘的柱形成。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 半导体器件 衬底 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件的衬底，包括：非导电衬底材料；形成在所述衬底材料中的导电柱的阵列，其中所述导电柱从所述衬底材料的上表面延伸到衬底材料的下表面；和形成在所述衬底材料的上表面上的管芯安装盘，其中所述管芯安装盘的尺寸和形状适于接收半导体管芯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司，未经恩智浦美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610919948.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：封装结构及其制作方法
- 下一篇：一种低阻抗的复合钯钌铜线及其制造方法
