[发明专利]一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚有效
| 申请号： | 201610920976.X | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106367812A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨翠柏;方聪;陈丙振 | 申请（专利权）人： | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 陈英俊,许向彤 |
| 地址： | 100080 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚，属于半导体芯片单晶制备技术领域。所述石墨坩埚包括石墨坩埚本体、石墨坩埚盖和石墨槽，石墨槽空心，无底面，套在石墨坩埚本体内，高度低于石墨坩埚本体的高度，厚度小于所述石墨坩埚本体的壁面厚度，材质与石墨坩埚本体的材质相同。碳化硅籽晶固定于石墨坩埚盖上，碳化硅粉源放置于石墨槽内以及石墨坩埚本体与石墨槽之间。在生长单晶时，石墨坩埚本体和石墨槽在交变磁场中同时发热，使石墨坩埚中心以及石墨坩埚本体与石墨槽之间同时产生大量反应气氛，避免出现明显的冷热分区，提高碳化硅粉源径向温度的均匀性，从而提高碳化硅粉源的使用效率和单晶的生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 径向 温度 均匀 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚，包括石墨坩埚本体和石墨坩埚盖，石墨坩埚盖位于石墨坩埚本体上方封口处，所述石墨坩埚盖上固定有碳化硅籽晶，其特征在于，还包括石墨槽，所述石墨槽是空心，无底面的，套在所述石墨坩埚本体内，高度低于所述石墨坩埚本体的高度，厚度小于所述石墨坩埚本体的壁面厚度，材质与所述石墨坩埚本体的材质相同，碳化硅粉源放置于所述石墨槽内以及所述石墨槽与所述石墨坩埚本体之间。
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