[发明专利]具有堆叠中选择器的顶部钉扎SOT‑MRAM结构在审
| 申请号： | 201610921767.7 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039064A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | P.M.布拉干萨;L.万 | 申请（专利权）人： | HGST荷兰公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/18;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 葛飞 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有堆叠中选择器的顶部固定式自旋‑轨道转矩磁阻随机存取存储器(SOT‑MRAM)结构。本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM单元和芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括存储器单元阵列，其具有多个第一引线、多个第二引线和多个存储器单元。多个存储器单元中的每个存储器单元包括MTJ和选择器元件。这些SOT‑MRAM单元消除了使大电流通过MTJ的阻挡层的需求，选择性元件消除了通常在不扰乱相邻存储器单元的情况下选择单个存储器单元所需的大晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 选择器 顶部 sot mram 结构 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，包括：磁隧道结；以及选择器元件，其布置在所述磁隧道结上。
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