[发明专利]用于减少的接口和串联触头电阻的触头集成有效
| 申请号： | 201610927021.7 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107068554B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 保罗·雷蒙德·贝瑟;威廉·沃辛顿·小克鲁;桑杰·戈皮纳特 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/288;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于减少的接口和串联触头电阻的触头集成。本发明提供了通过等离子体浸没离子注入(PIII)和/或脉冲PIII在浅深度的半导体材料中轻度注入铂、铱、锇、铒、镱、镝和钆的方法。方法包括沉积衬垫层，然后掩蔽和注入特征以形成n型和p型半导体以及通过衬垫层注入材料。方法适合于涉及制造鳍式场效应晶体管(FinFET)的集成方案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 接口 串联 电阻 集成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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