[发明专利]集成电路用掩模版二次曝光方法在审
| 申请号： | 201610927859.6 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108020990A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘维维;尤春;王兴平;沙云峰;朱希进;季书凤;张月圆;杨晨;刘浩;胡超 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 康潇 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路用掩模版二次曝光方法，属于半导体技术领域，通过手动曝光、显影的方法，将二次对位标记区域光刻胶去除，显现出二次对位图形，减少光刻胶涂布质量对二次对位的干扰，降低对涂胶工艺以及曝光机台的要求，能有效减少二次曝光时间，提高曝光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 模版 二次 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.集成电路用掩模版二次曝光方法，其特征在于：包括如下步骤：a、在所提供的需二次曝光的掩模版(5)上的金属层(3)一侧的版面上涂覆一层保护膜层(2)，该保护膜层(2)为光刻胶层；b、在保护膜层(2)上选定至少三个对位标记区域(1)，对每个对位标记区域(1)均进行白光光照；c、通过显影工序，对保护膜层(2)上的所有对位标记区域(1)进行显影后去除；d、制作一个二次曝光专用ms文件，ms文件中设定了对位标记区域的位置，曝光机台在ms文件设定的对位标记区域位置扫描，曝光机在掩模版上扫描到对位标记区域后进行二次曝光。
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