[发明专利]用于晶体管装置的应力记忆技术

摘要

一种用于晶体管装置的应力记忆技术，本发明涉及用于应力记忆技术的方法和以此方法制备的晶体管装置。在一个说明性实施例中，本申请内容涉及制造具有基板和设置在基板上方的栅极结构的NMOS晶体管装置的方法，该基板具有至少部分在栅极结构下方的通道区，该制造包括：通过将氮离子植入该基板中以执行氮离子植入工艺，从而在该基板中形成应力区，该应力区由通道区分隔开，其中，该应力区具有应力区深度；在NMOS晶体管装置之上形成覆盖材料层；以及在覆盖材料层就位后，执行应力成形退火工艺，从而在应力区中形成堆垛层错。在另一个实施例中，非晶化离子植入在氮离子植入之前、之后或一起执行。

主权项

一种方法，包括：制造NMOS晶体管装置，该NMOS晶体管装置包括基板和设置在该基板上方的栅极结构，该基板包括至少部分在该栅极结构下方的通道区，该制造包含：通过将氮离子植入该基板中以执行氮离子植入工艺，从而在该基板中形成应力区，该应力区由该通道区分隔开，其中，该应力区具有应力区深度；在该NMOS晶体管装置之上形成覆盖材料层；以及在该覆盖材料层就位后，执行应力成形退火工艺，从而在该应力区中形成堆垛层错。