[发明专利]一种高压气体开关电极及其制备方法在审
申请号: | 201610930520.1 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN106654861A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 关锦清;谭成文;樊亚军;于晓东;张兴家;乔汉青;石一平;夏文峰;石磊;曹雨 | 申请(专利权)人: | 西北核技术研究所;北京理工大学 |
主分类号: | H01T1/22 | 分类号: | H01T1/22;H01T21/00 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人: | 汪海艳 |
地址: | 710024 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种高压气体开关电极,包括基体及位于基体表面的涂层,所述涂层为钨多晶涂层。本发明高压气体开关电极在纯铜电极基体表面制备高纯钨多晶涂层,位于电极表面的高纯钨多晶涂层可提高电极击穿部位的耐烧蚀性,该电极已经在高功率微波源的高压气体开关中得到了实例应用,也可推广应用至同类高压气体开关自击穿电极中。在相同条件下,与常用电极进行对比实验,本发明高纯钨多晶涂层电极具有较强的耐烧蚀特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 气体 开关 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高压气体开关电极,其特征在于:包括基体及位于基体表面的涂层,所述涂层为钨多晶涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北核技术研究所;北京理工大学,未经西北核技术研究所;北京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610930520.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。