[发明专利]用于处理基板的装置和方法在审
申请号: | 201610932597.2 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN106971960A | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 李银卓;徐钟锡 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所11410 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了用于处理基板的装置和方法。所述装置可以包括处理腔室,所述处理腔室包括彼此联接以限定处理空间的上腔室和下腔室;支撑单元,所述支撑单元被设置在所述处理空间内以支撑基板;以及排气元件,所述排气元件被配置成从所述处理空间或所述处理空间的相邻区域排出空气。所述排气元件可以包括与外排气孔连接的外排气管线,以及所述外排气孔可以形成在所述上腔室或所述下腔室中或穿过所述上腔室或所述下腔室形成且可以与所述上腔室和所述下腔室彼此接触的位置处的接触表面连接。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,包括:处理腔室,所述处理腔室包括彼此联接以限定处理空间的上腔室和下腔室;支撑单元,所述支撑单元被设置在所述处理空间内以支撑基板;以及排气元件,所述排气元件被配置成从所述处理空间或所述处理空间的相邻区域排出空气,其中,所述排气元件包括与外排气孔连接的外排气管线,以及所述外排气孔形成在所述上腔室或所述下腔室中且与所述上腔室和所述下腔室彼此接触的位置处的接触表面连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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