[发明专利]激光诱导制备KNb3O8纳米线的方法

摘要

激光诱导制备KNb3O8纳米线的方法属于新型功能材料技术领域。本发明使用405nm的半导体激光器，实验前在石英玻璃上镀Ti和Au，作为铌酸钾纳米线生长的衬底。向氢氧化钾溶液中加入Nb2O5粉末，使KNb的比例为501，并用磁力搅拌器搅拌15min，使Nb2O5充分溶解；激光照射时间分别为4‑12min。通过XRD、SEM等技术手段对微结构表征，表明产物为最强衍射峰在(110)晶面上的KNb3O8一维纳米线。通过紫外‑可见吸收和光致发光性能的测试，表明KNb3O8的带隙为2.98eV，具有潜在的蓝光发光特性。本发明通过激光照射时间的控制，生成长度，粗细不同的一维纳米结构，首次利用激光生成一维线状的KNb3O8纳米结构。

主权项

激光诱导制备KNb3O8纳米线的方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：1)将KOH溶解到去离子水中，配置浓度为25mol/L的氢氧化钾溶液；2)称取五氧化二铌粉体；将称取好的五氧化二铌粉末，加入到已经配好的氢氧化钾溶液中，使K：Nb的摩尔比例为50:1，用磁力搅拌器充分搅拌，使溶液混合均匀；3)将石英玻璃，用酒精超声清洗，再用去离子水洗涤若干次；4)使用直流溅射方法，在清洗干净的石英玻璃上先镀一层厚度为15～20nm的Ti；再使用喷金仪镀一层厚度为130～140nm的Au，作为KNb3O8纳米线生长的衬底；5)将制备好的衬底平放入一个耐碱容器底部，有金膜的一面朝上；将制备好的溶液倒入小容器中，没过衬底；6)使用波长为405nm的半导体激光，激光电流为50mA，功率为1.2W，照射4‑12min；7)照射完毕，从溶液中用镊子取出衬底，用去离子水冲洗几次，在衬底的上表面得到KNb3O8一维纳米结构。