[发明专利]校准晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610934480.8 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107978586B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王燕;保罗·邦凡蒂;刘源;季文明 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 余昌昊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明提供了一种校准晶片及其制造方法，所述校准晶片包括衬底晶片及形成于所述衬底晶片上的校准粒子，用于检测机台的灵敏度。利用氧化铝粒子作为所述校准晶片上的校准粒子，氧化铝粒子具有很好的热传导系数，有利于材料体内热量的传导，因此氧化铝粒子几乎不会发生因为温度的升高而引起体积膨胀，从而避免了校准粒子因高能量射线的照射温度升高而发生爆破，影响机台测量精度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种校准晶片，包括衬底晶片及形成于所述衬底晶片上的校准粒子，其特征在于，/n所述校准粒子是氧化铝粒子，并且所述氧化铝粒子通过半沉积方法沉积在所述衬底晶片一半的表面内；/n所述衬底晶片被划分成M个扫描区，分别为第一扫描区、第二扫描区、第三扫描区、......、第M-1扫描区和第M扫描区，每个扫描区内均有五组所述校准粒子，M为自然数。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610934480.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
