[发明专利]电极的制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、相关基板在审
| 申请号： | 201610936120.1 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108022832A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 闫梁臣;徐晓光;兰林锋;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电极的制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板，用以降低生产成本，实现大面积生产。电极的制作方法包括：在基板上制作至少一具有疏水性质的疏水结构，每一所述疏水结构包括位于边缘区域的疏水突起和位于中间区域的疏水膜；去除所述疏水膜；在至少一疏水突起上制作导电溶液，使得所述导电溶液侵润所述疏水突起，形成位于所述疏水突起两侧的电极；去除所述疏水突起。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制作方法 薄膜晶体管 及其 相关 | ||
【主权项】：
1.一种电极的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上制作至少一具有疏水性质的疏水结构，每一所述疏水结构包括位于边缘区域的疏水突起和位于中间区域的疏水膜；去除所述疏水膜；在至少一疏水突起上制作导电溶液，使得所述导电溶液侵润所述疏水突起，形成位于所述疏水突起两侧的电极；去除所述疏水突起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
