[发明专利]一种用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法，包括按预制铜锑硒薄膜的铜锑硒化合物的摩尔比组成称取含有铜源、锑源和硒源的化合物原料，加入到二元混合溶剂中，搅拌，完全溶解，再加入醇类有机溶剂，搅拌均匀，涂抹于电极基板上，干燥，多次涂抹、干燥，在电极基板上沉积了前驱体薄膜；再置于惰性气体或含硒源的气氛中，加热，即得。本发明避免使用了有毒有害的溶剂，可以精准把握铜、锑、硒元素的沉积比例，且制备的薄膜的结晶性能好、均匀性和稳定性好，膜的厚度大，光电转换效率高，成膜温度低，工艺简单，易操作，重复性好，成本低，易于制备大面积高质量的薄膜，在太阳能电池工业中具有非常广阔的应用前景。

主权项

一种用于太阳能电池光吸收层的铜锑硒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）按预制铜锑硒薄膜的铜锑硒化合物的摩尔比组成称取含有铜源、锑源和硒源的化合物原料，混合后再加入到由硫醇和胺组成的二元混合溶剂中，搅拌，完全溶解，得前驱体溶液；所述硫醇和胺的体积比为1:7‑9；所述铜锑硒化合物与二元混合溶剂的摩尔体积比为0.3‑0.45mmol:10mL；（b）在所述前驱体溶液中加入醇类有机溶剂，搅拌均匀，涂抹于电极基板上，干燥，涂抹第二层，干燥；采用相同的涂抹方法涂抹、干燥数次，在电极基板上沉积了前驱体薄膜；所述前驱体溶液与醇类有机溶剂的体积比为5‑10:12‑20；（c）将沉积有前驱体薄膜的电极基板置于惰性气体或含硒源的气氛中，在300‑450℃下加热10‑60 min，即得。