[发明专利]闪存及其制造方法

摘要

本发明公开了闪存及其制造方法，其中该方法包括：依次同时刻蚀电容区和外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层，以在电容区中形成初始源极引出区和初始漏极引出区；在初始源极引出区、初始漏极引出区和绝缘层上形成控制栅层；同时刻蚀初始源极引出区、初始漏极引出区和外围区中的控制栅层，以在电容区中形成最终源极引出区和最终漏极引出区。本发明通过依次同时刻蚀电容区和外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层，然后同时刻蚀初始源极引出区、初始漏极引出区和外围区中的控制栅层，在电容区中形成最终源极引出区和最终漏极引出区，实现了在形成源极引出区和漏极引出区时，减少了对有源层的损伤。

主权项

一种闪存的制造方法，其特征在于，包括：依次同时刻蚀电容区和外围区中的绝缘层、浮栅层和隧穿氧化层，以在所述电容区中形成初始源极引出区和初始漏极引出区；在所述初始源极引出区、所述初始漏极引出区和所述绝缘层上形成控制栅层；同时刻蚀所述初始源极引出区、所述初始漏极引出区和所述外围区中的控制栅层，以在所述电容区中形成最终源极引出区和最终漏极引出区。