[发明专利]一种SiC或Si图案衬底上生长的粗化倒装GaAs基LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610937274.2 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106449923B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李志虎;张新;于军;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC或Si图案衬底上生长的粗化倒装GaAs基LED外延片及其制备方法，自上而下依次包括腐蚀阻挡层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、电流扩展层、SiC衬底或Si衬底，所述腐蚀阻挡层上设有凸起结构体及凹陷结构体。凸起结构体或凹陷结构体的设置，增加了表面的粗糙度，提高了倒装GaAs基LED外延片的出光效率，使实际出光率达到90％以上，解决了出光效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic si 图案 衬底 生长 倒装 gaas led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC或Si图案衬底上生长的粗化倒装GaAs基LED外延片的制备方法，自上而下依次包括腐蚀阻挡层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、电流扩展层、SiC衬底或Si衬底，所述腐蚀阻挡层上设有凸起结构体及凹陷结构体；其特征在于，具体步骤包括：(1)利用干法刻蚀方法，在原始SiC或Si衬底表面刻蚀，制作SiC或Si图案衬底；(2)在SiC或Si图案衬底表面，由下至上依次生长GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaInP粗化层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层和电流扩展层；(3)在电流扩展层上镀一层Al、Au或Ag，得反光金属层，并将反光金属层键合在一个新的SiC或Si衬底上；(4)腐蚀步骤(3)键合好的外延片，剥离原始SiC或Si衬底，腐蚀GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层，形成凸起结构体或凹陷结构体，即得。
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