[发明专利]一种标准单元的版图结构及电子装置在审
| 申请号： | 201610938722.0 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN107978598A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 黄晨;王剑屏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种标准单元的版图结构及电子装置。所述版图结构包括沿第一方向彼此并排设置的第一晶体管区域和第二晶体管区域以及设置于所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域之间的虚拟图形区域；所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域内分别设置有沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，以及分别沿第二方向延伸的第一栅极结构和第二栅极结构，所述虚拟栅极图形区域内设置有沿第二方向延伸的虚拟栅极结构；所述虚拟栅极结构包括与所述第一有源区和所述第二有源区对应设置的凸起区域或凹陷区域。本发明在所述版图结构中通过改变所述虚拟图案的形状，来增加所述功能区域的尺寸，以使尺寸逐渐变小的器件具有更好的均一性，进一步提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标准 单元 版图 结构 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种标准单元的版图结构，其特征在于，所述版图结构包括：沿第一方向彼此并排设置的第一晶体管区域和第二晶体管区域以及设置于所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域之间的虚拟图形区域；所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域内分别设置有沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，以及分别沿第二方向延伸的第一栅极结构和第二栅极结构，所述虚拟栅极图形区域内设置有沿第二方向延伸的虚拟栅极结构；所述虚拟栅极结构包括与所述第一有源区和所述第二有源区对应设置的凸起区域或凹陷区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610938722.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
