[发明专利]一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法有效
| 申请号： | 201610939929.X | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106498491B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 司华青;霍晓青;郭文斌;张颖武;程红娟;徐永宽;张志鹏;于凯;练小正 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B23/00;C30B28/12;C30B35/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。该装置为两端开口的石英管，在A端水平放置圆柱形支撑结构和衬底；盛放原料的小舟放置在B端，小舟与衬底间距为15~35cm；石英管两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封。采用该装置可以快速有效的对气相法晶体生长用原料进行提纯。通过采用高温和低温下两次恒温工艺，在一步提纯过程中，即可以去除原料中的低熔点杂质，同时实现高熔点杂质和原料的有效分离。提纯装置采用双法兰的设计保证了腔体内气流的可控性增强，保证了气相法晶体生长的原料的纯度，解决了气相法晶体生长中影响晶体质量和光电性能的关键问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气相法 晶体生长 原料 提纯 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种气相法晶体生长用原料的提纯装置，其特征在于，该装置为两端开口的厚壁石英管（1），在石英管（1）的A端水平放置一个圆柱形支撑结构（5）和衬底（4），用于提纯后原料的沉积；盛放原料（6）的小舟（7）放置在石英管（1）的B端，小舟（7）与衬底（4）间距为15~35cm；石英管（1）两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封，分别为左侧法兰（2）和右侧法兰（3）。
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