[发明专利]一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法。利用电沉积的方法将PbS沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入PBS缓冲溶液中，再在恒温水浴锅中生长48~72小时，最后取出电极，电极上就自发地生长上Pb3(PO4)2纳米线薄膜。本发明方法制备过程简单，且所制得的Pb3(PO4)2纳米线薄膜的附着力强，形貌规整，长径比大，直径均一，效率高，成本低，易于大规模生产，在电极材料、传感器和增塑剂等领域有着潜在的应用价值。

主权项

一种制备Pb3(PO4)2纳米线薄膜的方法，其特征在于具体步骤为：(1)将事先裁好的导电玻璃电极分别用分析纯丙酮、分析纯乙醇和二次水各超声清洗3 min，空气干燥后制得基体电极；(2)依次量取1mL浓度为0.2 mol/L的 Pb(NO3)2溶液、1 mL浓度为0.2 mol/L的EDTA溶液、3.5 mL浓度为0.3 mol/L的Na2S2O3溶液和4 mL浓度为1.25 mol/L的Na2SO4溶液一起置于20 mL烧杯中混合均匀，制得电沉积PbS薄膜底液；(3)在步骤(2)制得的电沉积PbS薄膜底液中建立三电极体系，其中，步骤(1)制得的基体电极作为工作电极，Ag/AgCl为参比电极，Pt为辅助电极，用循环伏安法进行电沉积，扫描范围为‑1~0V，扫描速度为0.05V/s，扫描段数为50~60段，沉积结束后，取出工作电极，其表面上就沉积出PbS薄膜，制得PbS基体电极；(4)量取8mL PBS缓冲溶液加入洁净的生长瓶中，然后把步骤(3)制备的PbS基体电极斜放入生长瓶中，再将生长瓶置于45℃的水浴锅中恒温条件下反应48~72小时，最后取出PbS基体电极，其上生长的薄膜即为Pb3(PO4)2纳米线薄膜；所述导电玻璃电极为铟锡氧化物电极；所述PBS缓冲溶液是浓度为0.2mol/L 的Na2HPO4‑NaH2PO4缓冲溶液，其pH=6.8。