[发明专利]一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法在审
| 申请号： | 201610941780.9 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108020939A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李萍;范宝泉 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 张义 |
| 地址： | 300000 天津市北辰区北辰经济*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法，包括：石英基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、金属薄膜电极以及金属封装管壳。本发明的有益效果如下：1)缩短了弯曲波导长度和行波电极长度，去掉了直流偏移补偿电极，实现了铌酸锂QPSK光调制器的小型化；2)采用低介电常数的石英材料作为铌酸锂单晶薄膜的基底晶片，实现了微波折射率与光波折射率的良好匹配，提高了铌酸锂QPSK光调制器的调制带宽；3)去掉了直流偏移补偿电极，降低了铌酸锂QPSK光调制器的信号处理复杂性；4)提高了铌酸锂薄膜晶圆的利用率，降低了铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 薄膜 qpsk 调制器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器，其特征在于，包括：光学波导(2)、金属薄膜电极(3)、石英基底晶片(5-1)、铌酸锂薄膜(5-2)，所述石英基底晶片(5-1)为光学级、双面抛光的石英晶片，其厚度为0.1mm至2mm，所述铌酸锂薄膜(5-2)为光学级、具有单晶结构、切向为X切Y传、厚度为0.1μm至20μm，所述光学波导(2)为钛扩散波导，其扩散宽度为0.1μm至10μm，扩散深度为0.1μm至10μm，所述金属薄膜电极(3)具有行波结构、厚度在0.1μm至30μm。
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