[发明专利]晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610944423.8 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108022969A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其制造方法，制造方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区域和电阻区域；在所述电阻区域的衬底上形成第一隔离结构；在所述器件区域的衬底上形成伪栅结构，在形成所述伪栅结构的过程中，在所述第一隔离结构上形成电阻结构；在所述伪栅结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区；对所述电阻结构进行离子掺杂，以调整电阻结构阻值；进行退火工艺处理，以激活源漏掺杂区的离子和电阻结构中的离子；去除所述伪栅结构；在所述伪栅结构原位置处形成栅极结构。本发明提供的晶体管的制造方法降低了晶体管的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区域和电阻区域；在所述电阻区域的衬底中形成第一隔离结构；在所述器件区域的衬底上形成伪栅结构，在形成所述伪栅结构的过程中，在所述第一隔离结构上形成电阻结构；在所述伪栅结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区；对所述电阻结构进行离子掺杂，以调整电阻结构阻值；进行退火工艺处理，以激活源漏掺杂区的离子和电阻结构中的离子；去除所述伪栅结构；在所述伪栅结构原位置处形成栅极结构。
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