[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构与第二栅极结构间隔开第一距离；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构，第三栅极结构与第四栅极结构间隔开与第一距离不同的第二距离；第一区的衬底上的第一层间绝缘膜，第一层间绝缘膜包括第一下层间绝缘膜和第一下层间绝缘膜上的第一上层间绝缘膜，第一下层间绝缘膜包围第一栅极结构的侧壁的一部分和第二栅极结构的侧壁的一部分；第二区的衬底上的第二层间绝缘膜，第二层间绝缘膜包括第二下层间绝缘膜和第二下层间绝缘膜上的第二上层间绝缘膜，第二下层间绝缘膜包围第三栅极结构的侧壁的一部分和第四栅极结构的侧壁的一部分；第一栅极结构与第二栅极结构之间的第一接触部分，第一接触部分在第一层间绝缘膜中并且具有第一宽度；以及第三栅极结构与第四栅极结构之间的第二接触部分，第二接触部分在第二层间绝缘膜中并且具有与第一宽度不同的第二宽度，第一宽度与第一栅极结构的上表面的宽度相关联，第二宽度与第三栅极结构的上表面的宽度相关联。