[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610949316.4 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106952956A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括在衬底上方设置的第一沟道区域、在衬底上方设置的且连接至第一沟道区域的第一源极区域和第一漏极区域从而使得第一沟道区域设置在第一源极区域和第一漏极区域之间、在第一沟道区域上且围绕第一沟道区域设置的栅极介电层、在栅极介电层上设置的且围绕第一沟道区域的栅电极层以及第二源极区域和第二漏极区域，第二源极区域和第二漏极区域分别设置在衬底上方且在第一源极区域和第一漏极区域下方。第二源极区域和第二漏极区域与栅极介电层接触。第一源极区域和第一漏极区域的晶格常数不同于第二源极区域和第二漏极区域的晶格常数。本发明实施例涉及具有全环栅结构的半导体器件及其制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一沟道区域，设置在衬底上方；第一源极区域和第一漏极区域，设置在所述衬底上方且连接至所述第一沟道区域使得所述第一沟道区域设置在所述第一源极区域和所述第一漏极区域之间；栅极介电层，设置在所述第一沟道区域上且围绕所述第一沟道区域；栅电极层，设置在所述栅极介电层上且围绕所述第一沟道区域；以及第二源极区域和第二漏极区域，分别设置在所述衬底上方且设置在所述第一源极区域和所述第一漏极区域下方，其中：所述第二源极区域和所述第二漏极区域与所述栅极介电层接触，以及所述第一源极区域和所述第一漏极区域的晶格常数不同于所述第二源极区域和所述第二漏极区域的晶格常数。
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