[发明专利]一种DFN二极管的制造工艺在审
| 申请号： | 201610950028.0 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107993945A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吴善焜 | 申请（专利权）人： | 汕尾德昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 | 代理人： | 刘秀青,熊国裕 |
| 地址： | 516600 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DFN二极管的制造工艺。包括以下步骤(1)晶片切割将圆形晶片板切割成方形晶片；(2)晶片焊接将方形晶片及引线框架放在晶片焊接机上进行共晶焊接；(3)贴膜在引线框架底部贴上耐热胶膜；(4)焊线将焊有晶片的引线框架放入焊线机中在晶片与引线脚之间焊上导电连接线；(5)注塑通过注塑模具用注塑胶将晶片‑焊线‑引线框架组合体进行封裹形成二极管体；(6)电镀在引线脚表面镀上一层锡；(7)分离将二极管体从条状引线框架上切割分离成独立小单元；(8)测试上带对二极管进行测试并将合格二极管用装料带进行包装。本发明杜绝了产品生产过程中的离子污染，大大改善了产品在高温环境下的使用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dfn 二极管 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种DFN二极管的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)晶片切割：将圆形晶片板切割成方形晶片；(2)晶片焊接：将方形晶片及引线框架放在晶片焊接机上进行共晶焊接；(3)贴膜：在引线框架底部贴上耐热胶膜；(4)焊线：将焊有晶片的引线框架放入焊线机中在晶片与引线脚之间焊上导电连接线；(5)注塑：通过注塑模具用注塑胶将晶片‑焊线‑引线框架组合体进行封裹形成二极管体；(6)电镀：在引线脚表面镀上一层锡；(7)分离：将二极管体从条状引线框架上切割分离成独立小单元；(8)测试上带：对二极管进行测试并将合格二极管用装料带进行包装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
