[发明专利]一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法

摘要

一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，在基材表面制备一层金属材料，在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列，然后在粒子阵列上沉积硅薄膜，在硅薄膜表面制备聚合物层，再将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离，然后以聚合物层为基底，选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列，最后用氢氟酸去除二氧化硅粒子，形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构，开口型硅薄膜球壳阵列结构能够实现硅膜吸收效率大幅提高。

主权项

一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在基材表面制备一层金属材料，在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列；2)在粒子阵列上沉积硅薄膜；3)在硅薄膜表面制备聚合物层；4)将金属层利用酸溶液溶解使得硅膜结构与基材脱离；5)以聚合物层为基底，选择性刻蚀二氧化硅纳米粒子表面的硅薄膜并部分暴露出二氧化硅粒子阵列；6)用氢氟酸去除二氧化硅粒子，形成以聚合物层为基底的开口型硅薄膜球壳阵列结构。