[发明专利]在半导体装置中的自调式隔离偏置有效
| 申请号： | 201610955317.X | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106887452B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 张志宏;丹尼尔·布鲁姆伯格;程序;林欣;杨红凝;左江凯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置包含：半导体衬底；掺杂式隔离障壁，该掺杂式隔离障壁被安置在该半导体衬底中以隔离该装置；漏极区，该漏极区被安置在该半导体衬底中且在操作期间将电压施加到该漏极区；以及耗尽阱区，该耗尽阱区被安置在该半导体衬底中且具有与该掺杂式隔离障壁以及该漏极区一样的导电类型。该耗尽阱区被定位在该掺杂式隔离障壁与该漏极区之间以电耦合该掺杂式隔离障壁以及该漏极区，以使得该掺杂式隔离障壁在低于被施加到该漏极区的该电压的电压电平下被偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 中的 调式 隔离 偏置 | ||
【主权项】：
一种装置，其特征在于，包括：半导体衬底；掺杂式隔离障壁，其被安置在所述半导体衬底中以隔离所述装置；漏极区，其被安置在所述半导体衬底中且在操作期间将电压施加到所述漏极区；以及耗尽阱区，其被安置在所述半导体衬底中且具有与所述掺杂式隔离障壁以及所述漏极区一样的导电类型；所述耗尽阱区被定位在所述掺杂式隔离障壁与所述漏极区之间以电耦合所述掺杂式隔离障壁以及所述漏极区，以使得所述掺杂式隔离障壁在低于被施加到所述漏极区的所述电压的电压电平下被偏置。
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