[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201610958953.8 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108022970A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 洪波;张帅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：部分位于有源区内并延伸出所述有源区的栅氧化层；覆盖所述栅氧化层的栅电极，所述栅电极包括位于所述有源区内的第一栅电极和位于所述有源区外侧的第二栅电极，其中，所述第二栅电极与其下方半导体衬底之间的功函数差大于所述第一栅电极与其下方的半导体衬底之间的功函数差。如此，可使位于有源区外侧的寄生器件具有较大的临界电压，并可使所述寄生器件的临界电压大于有源区中元件的临界电压，进而有效避免了所述半导体器件在一个较低的电压下开启，有效改善了半导体器件的双峰效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件具有一有源区，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅氧化层，所述栅氧化层部分位于所述有源区内，并延伸出所述有源区；覆盖所述栅氧化层的栅电极，所述栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极位于所述有源区内的栅氧化层上，所述第二栅电极位于所述有源区外的栅氧化层上，其中，所述第二栅电极与其下方的半导体衬底之间的功函数差大于所述第一栅电极与其下方的半导体衬底之间的功函数差。
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