[发明专利]一种高密度等离子体溅射镀膜设备在审
| 申请号： | 201610960003.9 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106480420A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 滕海燕 | 申请（专利权）人： | 合肥优亿科机电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人： | 娄岳,金凯 |
| 地址： | 230888 安徽省合肥市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高密度等离子体溅射镀膜设备，包括真空室、置于真空室进气端的高密度等离子体源、置于真空室抽气端的靶体，以及设置在靶体一侧的镀膜基板，所述高密度等离子体源包括加热丝、热阴极发射源片，以及布置在加热丝和热阴极发射源片外围的屏蔽结构，所述热阴极发射源片与靶体之间布置有阳极，所述高密度等离子体源激发出弧光放电等离子体，在阳极电场的作用下加速轰击靶体上的靶材，将中性的靶原子沉积在镀膜基板上。本发明所阐述的等离子体密度比市面上现有的辉光放电等离子体提高10~100倍，磁控溅射镀膜效率会提高10~100倍，而且等离子体温度高、膜层的附着力强、膜组织致密，膜的厚度及成分均匀性好，并可成型更高温度的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 等离子体 溅射 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
一种高密度等离子体溅射镀膜设备，包括真空室(10)、置于真空室进气端的高密度等离子体源(20)、置于真空室抽气端的靶体(30)，以及设置在靶体一侧的镀膜基板(40)，其特征在于，所述高密度等离子体源(20)包括加热丝(21)、热阴极发射源片(22)，以及布置在加热丝和热阴极发射源片外围的屏蔽结构(23)，所述热阴极发射源片与靶体(30)之间布置有阳极(50)，所述高密度等离子体源激发出弧光放电等离子体，在阳极电场的作用下加速轰击靶体上的靶材，将中性的靶原子沉积在镀膜基板上。
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