[发明专利]一种ITO导电膜在审

专利信息
申请号: 201610961045.4 申请日: 2016-11-04
公开(公告)号: CN107863181A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 周峰 申请(专利权)人: 江苏日久光电股份有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/02
代理公司: 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)31297 代理人: 周高
地址: 215325 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种ITO导电膜,该导电膜结构从上到下依次排列设置有保护层、树脂基体、银纳米膜层、第一ITO导电膜层、第二ITO导电膜层、粘结层和基材层;所述第一ITO导电膜层和第二ITO导电膜层均为透明导电膜层,且两个导电膜层的折射率不同,所述第一ITO导电膜层的厚度为20‑30nm,第二ITO导电膜层的厚度为10‑20nm,所述树脂基体的厚度为110‑140mm,所述银纳米膜层的厚度为45‑55nm,所述粘结层的厚度为20‑50nm。本发明提供一种ITO导电膜,其与树脂基体结合力强、透过率高、电阻率低、化学稳定性好。
搜索关键词: 一种 ito 导电
【主权项】:
一种ITO导电膜,其特征在于,该导电膜结构从上到下依次排列设置有保护层、树脂基体、银纳米膜层、第一ITO导电膜层、第二ITO导电膜层、粘结层和基材层;所述第一ITO导电膜层和第二ITO导电膜层均为透明导电膜层,且两个导电膜层的折射率不同,所述第一ITO导电膜层的厚度为20‑30nm,第二ITO导电膜层的厚度为10‑20nm,所述树脂基体的厚度为110‑140mm,所述银纳米膜层的厚度为45‑55nm,所述粘结层的厚度为20‑50nm。
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