[发明专利]具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造及制造方法

摘要

本发明公开了一种具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造及制造方法。该封装构造，主要包含装置晶片、贴合于装置晶片的载体晶片、保护盖片以及硅穿孔结构。一金属互连平行垫组合嵌埋于装置晶片中，偏移垫设置于装置晶片并连接至金属互连平行垫组合。间隔导体凸块接合于偏移垫上。间隔黏合层形成于装置晶片上并包覆间隔导体凸块。保护盖片压贴于间隔黏合层上。硅穿孔结构包含一贯穿孔以及一孔金属层，贯穿孔微偏心地对准偏移垫连续贯穿载体晶片与装置晶片，孔金属层形成于贯穿孔内并连接偏移垫，贯穿孔非中心对准于间隔导体凸块。保护层形成于载体晶片并覆盖贯穿孔。因此，借由偏移垫上间隔导体凸块，以确保硅穿孔结构的连续型态。

主权项

1.一种具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造，其特征在于，包含：一装置晶片，该装置晶片的主体具有一第一表面与一第二表面，其中一金属互连平行垫组合嵌埋于该装置晶片之中，至少一偏移垫设置于该第一表面并连接至该金属互连平行垫组合，一组件设置区形成于该第一表面；一载体晶片，该载体晶片的主体具有一第三表面与一第四表面，该装置晶片的该第二表面贴合于该载体晶片的该第三表面；至少一间隔导体凸块，接合于该偏移垫上而突出于该第一表面；一间隔黏合层，形成于该装置晶片的该第一表面上，该间隔黏合层包覆该间隔导体凸块；一保护盖片，压贴于该间隔黏合层上；至少一硅穿孔结构，包含一贯穿孔以及一孔金属层，该贯穿孔对着该偏移垫由该第四表面连续贯穿该载体晶片与该装置晶片，该孔金属层形成于该贯穿孔内并连接该偏移垫，该贯穿孔非中心对准于该间隔导体凸块；一保护层，形成于该第四表面上并覆盖该贯穿孔；以及多个外接端子，设置于该载体晶片而突出于该第四表面上。