[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610967723.8 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108010883B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 林志豪 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L23/58;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，所述方法包括下列步骤。提供基底，其中基底包括存储单元区与周边电路区。于存储单元区中形成动态随机存取存储器。动态随机存取存储器包括耦接至电容结构的电容接触窗。于周边电路区中形成具有金属栅极结构的晶体管结构。金属栅极结构是通过使用虚拟栅极的制程所形成。电容接触窗与虚拟栅极是由同一层导体层所形成。所述方法可有效地将动态随机存取存储器的制程与具有金属栅极结构的晶体管结构的制程进行整合。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器结构的制造方法，包括：提供基底，其中所述基底包括存储单元区与周边电路区；于所述存储单元区中形成动态随机存取存储器，其中所述动态随机存取存储器包括耦接至电容结构的电容接触窗；以及于所述周边电路区中形成具有金属栅极结构的晶体管结构，其中所述金属栅极结构是通过使用虚拟栅极的制程所形成，其中所述电容接触窗与所述虚拟栅极是由同一层导体层所形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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