[发明专利]用于分析互连工艺变化的方法在审
| 申请号： | 201610969630.9 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN107038271A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘得佑;萧铮;陈家逸;黄文成;苏哿暐;苏哿颖;喻秉鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供用于分析集成电路(IC)的互连结构中的工艺变化以及寄生电阻电容(RC)元件的方法以及对应系统。产生IC的互连结构中的寄生RC元件的第一描述。第一描述描述分别在典型工艺拐角以及外围工艺拐角处的寄生RC元件。从所述第一描述在外围工艺拐角处产生灵敏度值。灵敏度值分别量化寄生RC元件对工艺变化的灵敏程度。灵敏度值合并到以工艺变化参数的函数来描述寄生RC元件的寄生RC元件的第二描述中。通过反复地模拟具有工艺变化参数的不同值的第二描述来对所述第二描述执行模拟。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分析 互连 工艺 变化 方法 | ||
【主权项】：
一种用于分析互连工艺变化的方法，所述方法包括：通过至少一个处理器产生集成电路的互连结构中的寄生电阻电容元件的第一描述，所述第一描述描述分别在典型工艺拐角以及外围工艺拐角处的所述寄生电阻电容元件；通过所述至少一个处理器从所述第一描述在所述外围工艺拐角处产生灵敏度值，其中所述灵敏度值分别量化所述寄生电阻电容元件对工艺变化的灵敏程度；通过所述至少一个处理器将所述灵敏度值合并到以工艺变化参数的函数来描述所述寄生电阻电容元件的所述寄生电阻电容元件的第二描述中；以及通过所述至少一个处理器通过反复地模拟具有所述工艺变化参数的不同值的所述第二描述来对所述第二描述执行模拟。
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