[发明专利]半导体器件及其制造方法、存储单元和电子设备有效
| 申请号： | 201610971901.4 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106935650B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 姜东均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底，包括沟槽；栅电介质层，形成在沟槽的表面之上；栅电极，位于沟槽中、比衬底的上表面低的水平处，并且包括第一掩埋部分和在第一掩埋部分之上的第二掩埋部分；以及第一掺杂区和第二掺杂区，它们形成在衬底中、栅电极的两侧上，并且与第二掩埋部分重叠，其中，第一掩埋部分包括具有第一功函数的第一阻障，而第二掩埋部分包括具有比第一功函数低的第二功函数的第二阻障。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 存储 单元 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括沟槽；栅电介质层，形成在沟槽的表面之上；栅电极，位于沟槽中并且在比衬底的上表面低的水平处，其中，栅电极包括第一掩埋部分和第二掩埋部分，其中，第二掩埋部分形成在第一掩埋部分之上；以及第一掺杂区和第二掺杂区，它们形成在衬底中并且在栅电极的第一侧和第二侧之上，其中，第一掺杂区和第二掺杂区中的每个与第二掩埋部分重叠，其中，第一掩埋部分包括具有第一功函数的第一阻障，其中，第二掩埋部分包括具有第二功函数的第二阻障，以及其中，第二功函数低于第一功函数。
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