[发明专利]硅基高性能β辐伏电池及其制作方法

摘要

本发明提出了一种硅基高性能β辐伏电池，所述硅基高性能β辐伏电池由N型硅外延层、P型保护环、P型有源区、N型硅衬底、二氧化硅层、氮化硅层、电极、电极层和硼硅玻璃层组成；本发明还提出了一种硅基高性能β辐伏电池的制作方法；本发明的有益技术效果是提供了一种硅基高性能β辐伏电池及其制作方法，相比于现有技术，该辐伏电池具有较高的输出功率和抗辐射能力。

主权项

一种硅基高性能β辐伏电池，其特征在于：所述硅基高性能β辐伏电池由N型硅外延层(1)、P型保护环(2)、P型有源区(3)、N型硅衬底(4)、二氧化硅层(5)、氮化硅层(6)、电极(7)、电极层(8)和硼硅玻璃层(9)组成；所述N型硅外延层(1)形成在N型硅衬底(4)的上端面上，所述P型保护环(2)和P型有源区(3)均形成在N型硅外延层(1)上端的表层中，P型保护环(2)环绕在P型有源区(3)的周向外围，P型保护环(2)内壁与P型有源区(3)的外壁接触；所述硼硅玻璃层(9)设置在N型硅外延层(1)的上端面上，硼硅玻璃层(9)和P型有源区(3)的周向轮廓相同；二氧化硅层(5)设置在N型硅外延层(1)的上端面上，二氧化硅层(5)将N型硅外延层(1)上端面上硼硅玻璃层(9)以外的区域覆盖；氮化硅层(6)覆盖在二氧化硅层(5)和硼硅玻璃层(9)的表面；P型保护环(2)正上方的结构体中设置有电极孔，电极(7)设置在电极孔中，电极层(8)设置在N型硅衬底(4)的下端面上。