[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201610979685.8 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108074867A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张丽杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括：相邻的器件区和隔离区；分别在所述器件区和隔离区衬底上形成栅极结构；在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述栅极结构侧壁；去除所述隔离区栅极结构，在所述牺牲层中形成第一开口；对所述第一开口底部的衬底进行刻蚀，在所述隔离区衬底和牺牲层中形成第二开口；在所述第二开口中形成隔离结构；形成隔离结构之后，去除所述牺牲层；在所述栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区。所述形成方法能够使所述隔离结构与邻近隔离结构的器件区栅极结构之间的间距等于器件区相邻栅极结构之间的间距，从而改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 牺牲层 隔离结构 栅极结构 隔离区 器件区 半导体结构 开口 去除 相邻栅极结构 栅极结构侧壁 源漏掺杂区 刻蚀 邻近 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括：相邻的器件区和隔离区；分别在所述器件区和隔离区衬底上形成栅极结构；在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述栅极结构侧壁；去除所述隔离区栅极结构，在所述牺牲层中形成第一开口；对所述第一开口底部的衬底进行刻蚀，在所述隔离区衬底和牺牲层中形成第二开口；在所述第二开口中形成隔离结构；形成隔离结构之后，去除所述牺牲层；在所述栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
