[发明专利]一种MOS器件原子层沉积原位制备方法

摘要

本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种MOS器件原子层沉积原位制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：对基底进行清洗，放入选区修饰处理腔体；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长半导体材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长半导体材料作为沟道；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长高k绝缘材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长高k绝缘材料作为器件栅介质层；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长金属层提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长金属层作为器件电极。本发明有效提高器件的均匀性、稳定性和整体工艺质量。

主权项

1.一种MOS器件原子层沉积原位制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对基底进行清洗；将所述基底放入选区修饰处理腔体，对所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长半导体材料提供成核中心；将所述基底放入原子层沉积腔体中，在所述基底上改性过的地方生长半导体材料作为沟道；将所述基底放入所述选区修饰处理腔体，对所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长高k绝缘材料提供成核中心；将所述基底放入所述原子层沉积腔体中，在所述基底上改性过的地方生长高k绝缘材料作为器件栅介质层；将所述基底放入所述选区修饰处理腔体，对所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长金属层提供成核中心；将所述基底放入所述原子层沉积腔体中，在所述基底上改性过的地方生长金属层作为器件电极。