[发明专利]透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜有效

专利信息
申请号: 201610984967.7 申请日: 2016-11-09
公开(公告)号: CN106571174B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 马志锋;江涛;巩燕龙;许结林;余俊佼 申请(专利权)人: 宜昌南玻显示器件有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 徐春祺
地址: 443000*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜,该方法采用氧化铟的质量百分含量为87%~93%的氧化铟锡作为靶材,在氢气的体积百分含量为0.3%~1.5%的第一反应气体的氛围下,在衬底上磁控溅射沉积形成第一氧化铟锡薄膜。然后以氧化铟的质量百分含量为93%~95%的氧化铟锡作为靶材,向腔体内通入氩气或氩氧混合气体组成的第二反应气体,在第一氧化铟锡薄膜上磁控溅射沉积形成第二氧化铟锡薄膜。进行电路蚀刻时,内层的微晶氧化铟锡层较易蚀刻,提升氧化铟锡的蚀刻速率,减少蚀刻不净不良。
搜索关键词: 蚀刻 透明导电薄膜 氧化铟锡薄膜 氧化铟锡 磁控溅射沉积 反应气体 氧化铟 靶材 制备 氩氧混合气体 氧化铟锡层 氩气 氢气 衬底 内层 微晶 电路 体内
【主权项】:
1.一种透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供衬底;将所述衬底置于磁控溅射设备的腔体内,真空条件下,在第一反应气体氛围下,以第一氧化铟锡为靶材,控制所述衬底的温度为‑40℃~80℃,在所述衬底上磁控溅射沉积形成第一氧化铟锡薄膜,其中,所述第一反应气体为含氢气的混合气体,氢气在所述第一反应气体中的体积百分含量为0.3%~1.5%,所述第一氧化铟锡为氧化铟的质量百分含量为87%~93%的氧化铟锡;向所述腔体内通入第二反应气体,以第二氧化铟锡为靶材,控制所述衬底的温度为‑40℃~80℃,在所述第一氧化铟锡薄膜上磁控溅射沉积形成第二氧化铟锡薄膜,其中,所述第二反应气体为氩气或氩氧混合气体,所述第二氧化铟锡为氧化铟的质量百分含量为93%~95%的氧化铟锡,且所述第二氧化铟锡中的氧化铟的百分含量大于所述第一氧化铟锡中氧化铟的质量百分含量;以及在120℃~170℃条件下退火,使得所述第一氧化铟锡薄膜形成微晶氧化铟锡层,所述第二氧化铟锡薄膜形成结晶氧化铟锡层,得到所述透明导电薄膜;其中,所述微晶氧化铟锡层中的氧化铟锡是介于非晶与结晶的一种状态。
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