[发明专利]高集成半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：半导体衬底；有源区，所述有源区包括多个单位有源区，且被设置在半导体衬底之上以及与半导体衬底间隔开；字线对，所述字线对被形成在单位有源区的顶表面和侧面上；虚设字线，所述虚设字线被设置在单位有源区的接触处，并被形成在单位有源区的顶表面和侧面上；源极区域，所述源极区域被形成在字线对之间的单位有源区中，并与半导体衬底电连接；漏极区域，所述漏极区域被形成在字线对与虚设字线之间的单位有源区中；以及第一储存层，所述第一储存被形成在漏极区域上并与漏极区域电连接。

主权项

1.一种制造半导体存储器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上以第一恒定间距形成包括桩的线图案形的有源区；以第二恒定间距形成多个字线以与所述有源区交叉；对在所述字线中的每个的两侧处的所述有源区执行杂质的离子注入，以在与所述桩相对应的注入的有源区中形成源极区域，并在其余的注入的有源区中形成漏极区域；在暴露在所述字线之间的所述源极区域和所述漏极区域上形成下电极；在所述字线的侧壁和所述下电极上形成间隔件绝缘层；刻蚀所述间隔件绝缘层，以选择性地暴露出在所述漏极区域上的所述下电极；以及在所述暴露出的下电极和所述间隔件绝缘层上形成储存层。