[发明专利]形成半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201610991127.3 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107039502B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 安东·毛德;英戈·穆里;约翰内斯·鲍姆加特尔;伊里斯·莫德;弗兰克·迪特尔·普菲尔施;汉斯-约阿希姆·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了形成半导体器件的方法以及半导体器件。根据形成半导体器件的方法，在硅半导体本体的第一表面处形成辅助结构。在半导体本体上在第一表面处形成半导体层。在第一表面处形成半导体器件元件。然后从与第一表面相反的第二表面去除半导体本体至少直至辅助结构的朝向第二表面取向的边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体本体的第一表面处形成辅助结构；在所述半导体本体上在所述第一表面处形成半导体层；在所述第一表面处形成半导体器件元件；以及从与所述第一表面相反的第二表面去除所述半导体本体至少达到所述辅助结构的朝向所述第二表面取向的边缘。
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