[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610991455.3 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108074868B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供含锗基底；在基底上形成栅极结构；在栅极结构两侧的基底内形成初始凹槽；采用混合刻蚀气体对初始凹槽的侧壁和底部进行刻蚀，去除部分厚度基底材料形成凹槽；混合刻蚀气体包括硅源气体和HCl气体；在凹槽内形成掺杂外延层。由于初始凹槽底部和侧壁的部分厚度基底材料在初始凹槽形成过程中容易受到损伤而具有缺陷(例如Ge原子偏离晶格位置)，因此本发明采用硅源气体和HCl气体的混合刻蚀气体对初始凹槽的侧壁和底部进行刻蚀，可以去除受损的基底材料且对所述基底的损伤较小，使所形成凹槽暴露出的基底材料较好，从而可以提高后续掺杂外延层的形成质量，进而提高所形成半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供含锗基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底内形成初始凹槽；采用混合刻蚀气体对所述初始凹槽的侧壁和底部进行刻蚀，去除部分厚度基底材料，形成凹槽；所述混合刻蚀气体包括硅源气体和HCl气体；在所述凹槽内形成掺杂外延层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610991455.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：鳍式场效应晶体管及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
