[发明专利]半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法有效
| 申请号： | 201610991835.7 | 申请日： | 2016-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN106971758B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 郑会柱;车相彦;宋镐永;金炫中 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽;贾洪菠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法。半导体存储装置包括存储单元阵列、误差校正电路、误差日志寄存器和控制逻辑电路。存储单元阵列包括多个存储体阵列，其中每个存储体阵列包括多个页。控制逻辑电路被配置为控制误差校正电路以响应于从存储控制器接收的第一命令对由至少一个访问地址指示的多个页中的一些页顺序执行ECC解码，从而检测至少一个位误差。控制逻辑电路执行误差记录操作以将页误差信息写入误差日志寄存器，页误差信息包括从所述检测确定的一些页中每一页上的误差事件的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 存储系统 以及 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：存储单元阵列，包括多个存储体阵列，其中每个存储体阵列包括多个页；误差校正电路；误差日志寄存器；以及控制逻辑电路，其中，所述控制逻辑电路被配置为响应于从存储控制器接收的第一命令，控制误差校正电路对由至少一个访问地址指示的一些页顺序地执行误差校验和校正(ECC)解码，从而检测至少一个位误差，其中所述控制逻辑电路被配置为执行误差记录操作以将页误差信息写入所述误差日志寄存器，以及其中所述页误差信息包括从所述检测确定的一些页中的每一页上的误差事件的数量。
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