[发明专利]一种去除硫酸氧钒晶体中杂质的方法有效

专利信息
申请号: 201610994016.8 申请日: 2016-11-11
公开(公告)号: CN106395900B 公开(公告)日: 2018-04-24
发明(设计)人: 刘波;彭穗;汪南方;李道玉;陈婷;曹敏;龙秀丽;陈勇;韩慧果 申请(专利权)人: 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
主分类号: C01G31/00 分类号: C01G31/00;H01M8/18
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 代理人: 刘世平
地址: 617000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种硫酸氧钒晶体中杂质的去除方法,所述方法包括洗涤以脱除第一硫酸氧钒晶体的结晶水和晶体表面的杂质,过滤得到第二硫酸氧钒晶体。本发明的硫酸氧钒晶体中杂质的去除方法,能够直接从硫酸氧钒晶体中去除杂质元素,提高硫酸氧钒晶体的钒含量,简化工艺流程,降低生产成本,具有良好的经济性。
搜索关键词: 一种 去除 硫酸 晶体 杂质 方法
【主权项】:
一种去除硫酸氧钒晶体中杂质的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:将含有杂质元素的硫酸氧钒溶液蒸发至过饱和溶液,加入晶种,降温结晶得到第一硫酸氧钒晶体,所述含有杂质元素的硫酸氧钒溶液中含有0.005%~0.1%的Cr、0.005%~0.1%的Na和0.005%~0.1%的K;用无水乙醇洗涤所述第一硫酸氧钒晶体,过滤得到第二硫酸氧钒晶体,所述无水乙醇与所述第一硫酸氧钒晶体的液固比为0.5~1.0mL/g;用纯净硫酸氧钒饱和溶液洗涤所述第二硫酸氧钒晶体,所述纯净硫酸氧钒饱和溶液与所述第二硫酸氧钒晶体的液固比为1.0~1.5ml/g;过滤并烘干,得到第三硫酸氧钒晶体,其中,烘干温度为50~60℃,时间为30~60min。
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