[发明专利]电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统有效

专利信息
申请号: 201610995315.3 申请日: 2016-11-11
公开(公告)号: CN106648277B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 刘英伟;陈宁 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G06F3/046 分类号: G06F3/046;G06F3/0354;H01L27/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统。该电子装置的每个像素单元包括霍尔效应工作电极、薄膜晶体管、栅线、第一公共线、第二公共线、数据线和感测线。霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置,并且第一接触位置和第二接触位置的连线与第三接触位置和第四接触位置的连线相交;薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,漏极与第一接触位置电连接;栅线与栅极电连接;第一公共线通过第三接触位置与霍尔效应工作电极电连接;第二公共线通过第四接触位置与霍尔效应工作电极电连接;数据线与源极电连接;感测线与第二接触位置电连接。该电子装置实现了书写信息的图像化。
搜索关键词: 接触位置 电连接 电子装置 工作电极 霍尔效应 公共线 薄膜晶体管 电子复写 感测线 数据线 连线 漏极 源极 栅线 书写信息 像素单元 图像化 相交 制造
【主权项】:
1.一种电子装置,包括按阵列排布的多个像素单元,每个像素单元包括:霍尔效应工作电极,包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置,其中,所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交;薄膜晶体管,包括栅极、源极和漏极,其中,所述漏极与所述第一接触位置电连接;栅线,与所述栅极电连接;第一公共线,通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接;第二公共线,通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接;数据线,与所述源极电连接;以及感测线,与所述第二接触位置电连接。
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