[发明专利]一种改善波导侧壁的ICP刻蚀方法

摘要

一种改善波导侧壁的ICP刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：1)在Si/SiO2基片上镀上一层GeSbSe膜；2)将清洗后的基片上涂覆光刻胶并且制备出光刻胶掩膜；3)将带有光刻胶掩膜的基片在ICP刻蚀机内进行刻蚀，刻蚀时同时通入四氟化碳气体和三氟甲烷气体；该四氟化碳气体和三氟甲烷气体的气体流量分别为5sccm‑15sccm以及15sccm‑30sccm；4)刻蚀完成后去除残胶。本发明的优点在于利用两种气体的合理配比和通入量，能够实现对刻蚀的波导侧壁的形貌的改善，并且降低波导的传输损耗。

主权项

1.一种改善波导侧壁的ICP刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：1)在Si/SiO2基片上镀上一层GeSbSe膜，具体步骤为，将GeSbSe粉末放入真空镀膜机中的蒸发舟内，将基片清洗烘干，然后固定在样品旋转架上，抽真空至5×10‑4Pa以下，先用Ar气体清洗，然后对蒸发舟进行预热100℃，再逐级加热到400℃，调节GeSbSe粉末的蒸发速率至5A/S左右直至加工结束；2)将清洗后的基片上涂覆光刻胶并且制备出光刻胶掩膜，具体步骤为：对带有GeSbSe膜的基片进行匀胶、前烘、曝光、显影、后烘和坚膜；3)将带有光刻胶掩膜的基片在ICP刻蚀机内进行刻蚀，刻蚀时同时通入四氟化碳气体和三氟甲烷气体；该四氟化碳气体和三氟甲烷气体的气体流量分别为5sccm‑15sccm以及15sccm‑30sccm；刻蚀功率为150W‑400W，射频功率为80W‑120W，刻蚀时间定为2min‑6min；4)刻蚀完成后去除残胶。