[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610996686.3 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107026149B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 于殿圣;崔壬汾;廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L21/77;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置内使用熔丝(fuse)的结构及其制造方法，熔丝可形成于第三金属层内，且与位在下方的半导体基底上的有源元件垂直地排列。此外，第三金属层内的熔丝形成较下方的第二金属层厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在一半导体基底的一第一区上形成多个栅极电极，所述多个栅极电极在一第一方向上延伸；在该第一区的所述多个栅极电极上形成一第一金属层，其中该第一区的该第一金属层内每一条个别的线在与该第一方向垂直的一第二方向上延伸，其中该第一金属层无熔丝；在该第一区的该第一金属层上形成一第二金属层，其中该第一区的该第二金属层内每一条个别的线在该第一方向上延伸，其中该第二金属层无熔丝；以及在该第一区的该第二金属层上形成一第三金属层，其中该第一区的该第三金属层内每一条个别的线在该第二方向上延伸，其中该第三金属层包括多条熔丝。
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