[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610997289.8 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106653832B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法。发明提供使用了氧化物半导体膜的截止电流极小的晶体管。此外，本发明通过应用该晶体管从而提供耗电量极小的半导体装置。在衬底上通过加热处理来形成释放氧的基底绝缘膜，在基底绝缘膜上形成第一氧化物半导体膜，并对衬底进行加热处理。接着，在第一氧化物半导体膜上形成导电膜，并对该导电膜进行加工以形成源电极及漏电极。接着，在对第一氧化物半导体膜进行加工来形成第二氧化物半导体膜之后，立即形成覆盖源电极、漏电极及第二氧化物半导体膜的栅极绝缘膜，并在栅极绝缘膜上形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，所述方法包括如下步骤：在基底上形成第一氧化物半导体膜；在所述第一氧化物半导体膜上形成导电膜；通过移除与所述第一氧化物半导体膜的一部分重叠的所述导电膜的一部分来处理所述导电膜；以及通过处理所述导电膜后的另一步骤来处理所述第一氧化物半导体膜，其中，所述晶体管使用经处理的所述第一氧化物半导体膜来形成，且所述晶体管的沟道形成区在所述第一氧化物半导体膜的一部分中形成。
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