[发明专利]包括多平面结构的非易失性存储装置有效
| 申请号： | 201610997565.0 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN107025934B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 郭东勋;边大锡;尹治元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储装置包括：具有第一平面和第二平面的存储单元阵列和通过第一串选择线连接至第一平面并且通过第二串选择线连接至第二平面的地址译码器。地址译码器将串选择信号和串未选择信号提供给第一串选择线和第二串选择线。第一译码器基于对应于第一平面和第二平面的不同串选择线地址而将串选择信号和串未选择信号提供给每个平面中的第一串选择线和第二串选择线。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 平面 结构 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一平面和第二平面；以及地址译码器，所述地址译码器通过第一串选择线连接至所述第一平面，并且通过第二串选择线连接至所述第二平面，并且被配置为将串选择信号和串未选择信号提供给所述第一串选择线和所述第二串选择线，其中，所述地址译码器，所述地址译码器基于对应于所述第一平面和所述第二平面的不同串选择线地址，而独立地将所述串选择信号和所述串未选择信号提供给每个平面的所述第一串选择线和所述第二串选择线。
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