[发明专利]保护膜覆盖方法在审
申请号: | 201610997931.2 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN106952871A | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 岩本拓;吉田博斗;九鬼润一 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供保护膜覆盖方法,容易地将附着在经由保护带对晶片进行支承的环状的框架的上表面的液状树脂去除。保护膜覆盖方法利用水溶性树脂在晶片的正面上覆盖保护膜,在该晶片的正面上形成有多个器件,该保护膜覆盖方法包含将在保护膜覆盖工序中飞散到环状的框架的上表面的水溶性树脂去除的水溶性树脂去除工序。在水溶性树脂去除工序中,一边使旋转工作台旋转一边将清洗喷嘴定位在旋转工作台所保持的环状的框架的上表面而向环状的框架的上表面提供清洗水,并且将空气喷嘴与该清洗喷嘴相邻地定位在旋转方向下游侧,提供空气以使该空气逆着被提供到环状的框架的上表面的清洗水的移动而使清洗水暂时滞留并且将清洗水排出到环状的框架的外侧。 | ||
搜索关键词: | 保护膜 覆盖 方法 | ||
【主权项】:
一种保护膜覆盖方法,利用水溶性树脂在晶片的正面上覆盖保护膜,该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内形成有器件,该保护膜覆盖方法的特征在于,具有如下的工序:晶片支承工序,在具有对晶片进行收容的开口的环状的框架的该开口中经由粘合带而粘接晶片的背面,从而利用环状的框架对晶片进行支承;晶片保持工序,在经由粘合带将晶片支承在环状的框架上的状态下以晶片的正面作为上侧而保持在旋转工作台上;保护膜覆盖工序,一边使旋转工作台旋转一边向旋转工作台所保持的晶片的正面中央区域滴下水溶性树脂,从而在晶片的正面上覆盖由水溶性树脂形成的保护膜;以及水溶性树脂去除工序,将在该保护膜覆盖工序中飞散到环状的框架的上表面的水溶性树脂去除,在该水溶性树脂去除工序中,一边使旋转工作台旋转一边将清洗喷嘴定位在旋转工作台所保持的环状的框架的上表面而向环状的框架的上表面提供清洗水,并且将空气喷嘴与该清洗喷嘴相邻地定位在旋转方向下游侧,提供空气以使该空气逆着被提供到环状的框架的上表面的清洗水的移动而使清洗水暂时滞留并且将清洗水排出到环状的框架的外侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造