[发明专利]具有微型锥孔的SU-8光刻胶薄膜及制备方法和应用有效
申请号: | 201610999881.1 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN108073034B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 邹赫麟;冯建波;周毅;伊茂聪;魏宏芳 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学;珠海赛纳打印科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F7/26;G03F7/16 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 陶敏;黄健 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供一种具有微型锥孔的SU‑8光刻胶薄膜及制备方法和应用。本发明的具有微型锥孔的SU‑8光刻胶薄膜的制备方法,包括如下顺序进行的步骤:在具有PDMS层的基底上涂覆SU‑8光刻胶,前烘;采用掩膜进行间隙曝光,后烘,使SU‑8光刻胶层呈弱交联状态;显影,从PDMS层上剥离SU‑8光刻胶层,得到具有微型锥孔的SU‑8光刻胶薄膜。本发明的SU‑8光刻胶薄膜具备键合能力,从而无需借助粘结剂即可直接与腔室壁键合连接,利用该SU‑8光刻胶薄膜制造打印头时工艺简单,喷孔不易脱落及堵塞。 | ||
搜索关键词: | 具有 微型 su 光刻 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种具有微型锥孔的SU-8光刻胶薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下顺序进行的步骤:在具有PDMS层的基底上涂覆SU-8光刻胶,前烘;采用掩膜进行间隙曝光,后烘,使SU-8光刻胶层呈弱交联状态;显影,从PDMS层上剥离SU-8光刻胶层,得到具有微型锥孔的SU-8光刻胶薄膜。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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